1) Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры.
2) Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3) Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности. Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Ответ на вопрос 3:
В усилительных каскадах МДП-транзисторы всегда работают на пологих участках характеристик, где крутизна и коэффициент усиления транзистора имеют максимальные значения.
Рис. 2 Усилительные каскады на МДП-транзисторах с резистивной нагрузкой
Выходная ВАХ:
Передаточная ВАХ:
Y-параметры
Выражения для полных дифференциалов токов стока и затвора можно представить в виде:
В этих выражениях частные производные, определяющие приращения токов при изменении соответствующих напряжений, можно рассматривать как дифференциальные параметры транзистора, имеющие размерность проводимости.
Курсовая работа:
Формы финансового посредничества на страховом рынке России
Реферат:
Политическая обстановка накануне войны. Подготовка Германии и СССР к войне
Контрольная работа:
Математические методы в психологии ВАРИАНТ-3
Дипломная работа:
Разработка стратегии развития на предприятии
Дипломная работа:
Методика изучения отдельных вопросов алгебры и начал анализа
